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Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Confronto
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB vs Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Punteggio complessivo
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Punteggio complessivo
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
28
Intorno 4% latenza inferiore
Motivi da considerare
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.2
11.5
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.2
8.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
27
28
Velocità di lettura, GB/s
11.5
18.2
Velocità di scrittura, GB/s
8.5
14.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1756
3463
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB Confronto tra le RAM
TwinMOS 9DPT1CO4E-TATP 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
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