RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
Confronto
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB vs Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
Punteggio complessivo
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Punteggio complessivo
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
30
Intorno 10% latenza inferiore
Motivi da considerare
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.5
11.5
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.8
8.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
27
30
Velocità di lettura, GB/s
11.5
15.5
Velocità di scrittura, GB/s
8.5
12.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1756
3090
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB Confronto tra le RAM
TwinMOS 9DPT1CO4E-TATP 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2666C16 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Avant Technology J642GU42J5213N4 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905702-027.A00G 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
Intel 99P5471-013.A00LF 4GB
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hewlett-Packard 7EH64AA# 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link