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Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Confronto
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB vs Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Punteggio complessivo
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Punteggio complessivo
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
28
Intorno 4% latenza inferiore
Motivi da considerare
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
12
11.5
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.1
8.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
27
28
Velocità di lettura, GB/s
11.5
12.0
Velocità di scrittura, GB/s
8.5
9.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1756
2347
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB Confronto tra le RAM
TwinMOS 9DPT1CO4E-TATP 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3200C16 8GB
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