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Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Confronto
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB vs OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Punteggio complessivo
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Punteggio complessivo
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Motivi da considerare
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
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Motivi da considerare
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.4
11.5
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.5
8.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
10600
Intorno 2.42 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
27
27
Velocità di lettura, GB/s
11.5
17.4
Velocità di scrittura, GB/s
8.5
14.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
25600
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1756
3692
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB Confronto tra le RAM
TwinMOS 9DPT1CO4E-TATP 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
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