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Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB

Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB vs Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB

Punteggio complessivo
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Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB

Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB

Punteggio complessivo
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Differenze

Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB Motivi da considerare
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
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  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    28 left arrow 41
    Intorno 32% latenza inferiore
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB Motivi da considerare
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Segnala un bug
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    14 left arrow 10.4
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    9.2 left arrow 7.1
    Valore medio nei test

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latenza in PassMark, ns
    28 left arrow 41
  • Velocità di lettura, GB/s
    10.4 left arrow 14.0
  • Velocità di scrittura, GB/s
    7.1 left arrow 9.2
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    12800 left arrow 12800
Other
  • Descrizione
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    1560 left arrow 2356

Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB Confronto tra le RAM

Samsung M471B5173CB0-YK0 4GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB Confronto tra le RAM

Smart Modular SH564568FH8N0QHSCG 2GB
Mushkin 994093 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Memoria RAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Memoria RAM
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Memoria RAM
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3466C16 16GB
Corsair CMT32GX4M2C3466C16 16GB
Memoria RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
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G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
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Memoria RAM
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Memoria RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
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Corsair CMW32GX4M2C3466C16 16GB
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Memoria RAM
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
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G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB
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Memoria RAM
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
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