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Kingston HP698650-154-MCN 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Confronto
Kingston HP698650-154-MCN 4GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Punteggio complessivo
Kingston HP698650-154-MCN 4GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
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Kingston HP698650-154-MCN 4GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
40
Intorno -48% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.8
12.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.2
7.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston HP698650-154-MCN 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
40
27
Velocità di lettura, GB/s
12.8
14.8
Velocità di scrittura, GB/s
7.2
10.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1922
2173
Kingston HP698650-154-MCN 4GB Confronto tra le RAM
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Kingston 9905402-174.A00G 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2400C15-16GFXR 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMW128GX4M4D3000C16 32GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
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