RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston HX316C10F/8 8GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Confronto
Kingston HX316C10F/8 8GB vs Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Punteggio complessivo
Kingston HX316C10F/8 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingston HX316C10F/8 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
36
38
Intorno 5% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.7
14.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.8
9.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston HX316C10F/8 8GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
36
38
Velocità di lettura, GB/s
14.7
14.6
Velocità di scrittura, GB/s
9.2
10.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2585
2298
Kingston HX316C10F/8 8GB Confronto tra le RAM
Smart Modular SH5641G8FJ8NWRNSQG 8GB
Avant Technology F6451U66G1600G 4GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston 9905701-020.A00G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Apacer Technology GD2.1129WH.001 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3000C15 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link