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Kingston HX316C10F/8 8GB
Samsung M471B1G73BH0-CK0 8GB
Confronto
Kingston HX316C10F/8 8GB vs Samsung M471B1G73BH0-CK0 8GB
Punteggio complessivo
Kingston HX316C10F/8 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B1G73BH0-CK0 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingston HX316C10F/8 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
36
45
Intorno 20% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.7
12.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.2
7.9
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M471B1G73BH0-CK0 8GB
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Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston HX316C10F/8 8GB
Samsung M471B1G73BH0-CK0 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR3
Latenza in PassMark, ns
36
45
Velocità di lettura, GB/s
14.7
12.1
Velocità di scrittura, GB/s
9.2
7.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
12800
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2585
2054
Kingston HX316C10F/8 8GB Confronto tra le RAM
Smart Modular SH5641G8FJ8NWRNSQG 8GB
Avant Technology F6451U66G1600G 4GB
Samsung M471B1G73BH0-CK0 8GB Confronto tra le RAM
Kingston 9905428-193.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
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Kingston 9905663-006.A00G 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
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Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
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