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Kingston HX318C10FK/4 4GB
AMD R7416G2133U2S 16GB
Confronto
Kingston HX318C10FK/4 4GB vs AMD R7416G2133U2S 16GB
Punteggio complessivo
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Punteggio complessivo
AMD R7416G2133U2S 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
69
78
Intorno 12% latenza inferiore
Motivi da considerare
AMD R7416G2133U2S 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.5
6.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
6.7
4.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
14900
Intorno 1.14 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston HX318C10FK/4 4GB
AMD R7416G2133U2S 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
69
78
Velocità di lettura, GB/s
6.1
13.5
Velocità di scrittura, GB/s
4.1
6.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
14900
17000
Other
Descrizione
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-10-9-28 / 1866 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1116
1594
Kingston HX318C10FK/4 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
AMD R7416G2133U2S 16GB Confronto tra le RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
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