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Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Confronto
Kingston K1N7HK-ELC 2GB vs Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Punteggio complessivo
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Punteggio complessivo
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
68
Intorno 62% latenza inferiore
Motivi da considerare
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.9
12.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.9
7.7
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
26
68
Velocità di lettura, GB/s
12.6
16.9
Velocità di scrittura, GB/s
7.7
8.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1820
2007
Kingston K1N7HK-ELC 2GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Hewlett-Packard 7EH55AA# 8GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3733C17 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
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