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Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB
Confronto
Kingston K1N7HK-ELC 2GB vs Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB
Punteggio complessivo
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Punteggio complessivo
Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
35
Intorno 26% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
12.6
9.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.3
7.7
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
26
35
Velocità di lettura, GB/s
12.6
9.1
Velocità di scrittura, GB/s
7.7
8.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1820
2229
Kingston K1N7HK-ELC 2GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Hewlett-Packard 7EH55AA# 8GB
Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9905678-102.A00G 8GB
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Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Kingston KHX3200C20S4/32GX 32GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
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