RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
Confronto
Kingston KF552C40-16 16GB vs G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
Punteggio complessivo
Kingston KF552C40-16 16GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingston KF552C40-16 16GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
17000
Intorno 1.13% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
30
Intorno -15% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
20.2
15.5
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
16.2
13.2
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR5
DDR4
Latenza in PassMark, ns
30
26
Velocità di lettura, GB/s
15.5
20.2
Velocità di scrittura, GB/s
13.2
16.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
19200
17000
Other
Descrizione
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 26 28 30 32 36 40 42
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
no data / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
3343
3876
Kingston KF552C40-16 16GB Confronto tra le RAM
Kingston KF560C40-16 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB Confronto tra le RAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMW32GX4M4A2666C16 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BL32G32C16U4R.M16FB1 32GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston 9905678-065.A00G 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FD 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston K000MD44U 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link