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Kingston KF552C40-16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Confronto
Kingston KF552C40-16 16GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Punteggio complessivo
Kingston KF552C40-16 16GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingston KF552C40-16 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
37
Intorno 19% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.5
10.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.2
7.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
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Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston KF552C40-16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR5
DDR4
Latenza in PassMark, ns
30
37
Velocità di lettura, GB/s
15.5
10.4
Velocità di scrittura, GB/s
13.2
7.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
19200
19200
Other
Descrizione
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 26 28 30 32 36 40 42
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
no data / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
3343
2213
Kingston KF552C40-16 16GB Confronto tra le RAM
Kingston KF560C40-16 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
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takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
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