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Kingston KF552C40-16 16GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Confronto
Kingston KF552C40-16 16GB vs Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Punteggio complessivo
Kingston KF552C40-16 16GB
Punteggio complessivo
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingston KF552C40-16 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
32
Intorno 6% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.2
13.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
17000
Intorno 1.13% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.7
15.5
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston KF552C40-16 16GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR5
DDR4
Latenza in PassMark, ns
30
32
Velocità di lettura, GB/s
15.5
16.7
Velocità di scrittura, GB/s
13.2
13.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
19200
17000
Other
Descrizione
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 26 28 30 32 36 40 42
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
no data / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
3343
3064
Kingston KF552C40-16 16GB Confronto tra le RAM
Kingston KF560C40-16 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
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G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
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