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Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Confronto
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Punteggio complessivo
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Punteggio complessivo
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
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Motivi da considerare
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
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Motivi da considerare
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
40
Intorno -38% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.7
13.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.9
8.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
40
29
Velocità di lettura, GB/s
13.1
18.7
Velocità di scrittura, GB/s
8.5
15.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2148
3594
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB Confronto tra le RAM
Kingston TSB16D3LS1KFG/4G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FADG 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB Confronto tra le RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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