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Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Confronto
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Punteggio complessivo
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
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Motivi da considerare
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
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Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
41
Intorno -58% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.1
13.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.7
9.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
41
26
Velocità di lettura, GB/s
13.4
18.1
Velocità di scrittura, GB/s
9.2
13.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2348
3061
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB Confronto tra le RAM
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB
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Corsair CMT32GX4M4C3200C14 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4 8GB
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