Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB

Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB vs Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB

Punteggio complessivo
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Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB

Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB

Punteggio complessivo
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Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB

Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB

Differenze

  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    35 left arrow 52
    Intorno 33% latenza inferiore
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    10.7 left arrow 10.1
    Valore medio nei test
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    20.5 left arrow 16.2
    Valore medio nei test
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    17000 left arrow 10600
    Intorno 1.6 larghezza di banda superiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    35 left arrow 52
  • Velocità di lettura, GB/s
    16.2 left arrow 20.5
  • Velocità di scrittura, GB/s
    10.7 left arrow 10.1
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    10600 left arrow 17000
Other
  • Descrizione
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    2726 left arrow 2472
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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