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Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Confronto
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Punteggio complessivo
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.2
15.2
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
33
35
Intorno -6% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.0
10.7
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
35
33
Velocità di lettura, GB/s
16.2
15.2
Velocità di scrittura, GB/s
10.7
11.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2726
2774
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB Confronto tra le RAM
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Crucial Technology BLT8G3D1608DT1TX0. 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Team Group Inc. 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
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