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Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Confronto
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB vs Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Punteggio complessivo
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
33
35
Intorno -6% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.0
10.7
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
35
33
Velocità di lettura, GB/s
16.2
16.2
Velocità di scrittura, GB/s
10.7
12.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2726
3116
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB Confronto tra le RAM
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Crucial Technology BLT8G3D1608DT1TX0. 8GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
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Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
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