RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Confronto
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB vs Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Punteggio complessivo
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.2
13.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.7
9.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
35
Intorno -25% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
35
28
Velocità di lettura, GB/s
16.2
13.2
Velocità di scrittura, GB/s
10.7
9.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2726
1989
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB Confronto tra le RAM
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Crucial Technology BLT8G3D1608DT1TX0. 8GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Hewlett-Packard 7EH74AA#ABC 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston 9905633-017.A00G 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingston XRMWRN-MIE2 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link