RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
Confronto
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB vs V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
Punteggio complessivo
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Punteggio complessivo
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.7
8.0
Valore medio nei test
Motivi da considerare
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
18
35
Intorno -94% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.2
16.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
35
18
Velocità di lettura, GB/s
16.2
17.2
Velocità di scrittura, GB/s
10.7
8.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2726
2422
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB Confronto tra le RAM
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Crucial Technology BLT8G3D1608DT1TX0. 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002S 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston KY7N41-MID 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3200C16 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link