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Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Confronto
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB vs G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Punteggio complessivo
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
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Motivi da considerare
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
60
Intorno -140% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.2
6.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.0
5.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
14900
Intorno 1.29 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
60
25
Velocità di lettura, GB/s
6.8
15.2
Velocità di scrittura, GB/s
5.4
12.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
14900
19200
Other
Descrizione
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-10-9-28 / 1866 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1411
2740
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB Confronto tra le RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
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