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Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Confronto
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Punteggio complessivo
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
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Motivi da considerare
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
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Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
35
60
Intorno -71% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
10
6.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.0
5.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
14900
Intorno 1.29 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
60
35
Velocità di lettura, GB/s
6.8
10.0
Velocità di scrittura, GB/s
5.4
7.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
14900
19200
Other
Descrizione
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-10-9-28 / 1866 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1411
2068
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB Confronto tra le RAM
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Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB Confronto tra le RAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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