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Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Confronto
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Punteggio complessivo
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Motivi da considerare
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
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Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
60
Intorno -140% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.8
6.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.9
5.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
14900
Intorno 1.14 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
60
25
Velocità di lettura, GB/s
6.8
14.8
Velocità di scrittura, GB/s
5.4
8.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
14900
17000
Other
Descrizione
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-10-9-28 / 1866 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1411
2542
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB Confronto tra le RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB Confronto tra le RAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
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