RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Confronto
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Punteggio complessivo
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
37
60
Intorno -62% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
9.5
6.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.7
5.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
14900
Intorno 1.14 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
60
37
Velocità di lettura, GB/s
6.8
9.5
Velocità di scrittura, GB/s
5.4
7.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
14900
17000
Other
Descrizione
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-10-9-28 / 1866 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1411
1949
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB Confronto tra le RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2400 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Corsair CMR16GX4M2Z2933C16 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMW32GX4M2C3466C16 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Apacer Technology 78.CAGPW.40C0B 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston KHX2400C15S4/8G 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link