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Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Confronto
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Punteggio complessivo
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
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Motivi da considerare
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
34
60
Intorno -76% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.6
6.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.2
5.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
14900
Intorno 1.29 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
60
34
Velocità di lettura, GB/s
6.8
15.6
Velocità di scrittura, GB/s
5.4
11.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
14900
19200
Other
Descrizione
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-10-9-28 / 1866 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1411
2468
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB Confronto tra le RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston 9905625-011.A00G 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
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