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Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB

Kingston KP4T2F-PSB 4GB vs Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB

Punteggio complessivo
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Kingston KP4T2F-PSB 4GB

Kingston KP4T2F-PSB 4GB

Punteggio complessivo
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Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB

Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Differenze

Kingston KP4T2F-PSB 4GB Motivi da considerare
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
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  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    13.9 left arrow 10.8
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    9.3 left arrow 8.5
    Valore medio nei test
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB Motivi da considerare
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
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  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    32 left arrow 38
    Intorno -19% latenza inferiore
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    19200 left arrow 12800
    Intorno 1.5 larghezza di banda superiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    38 left arrow 32
  • Velocità di lettura, GB/s
    13.9 left arrow 10.8
  • Velocità di scrittura, GB/s
    9.3 left arrow 8.5
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • Descrizione
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    2317 left arrow 2349

Kingston KP4T2F-PSB 4GB Confronto tra le RAM

Kingston KP4T2F-MIN 4GB
Samsung M471B5773CHS-CF8 2GB

Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB Confronto tra le RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
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Memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB
G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB
Memoria RAM
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
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Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
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Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
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A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
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Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
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