RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Confronto
Kingston KP4T2F-PSB 4GB vs Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Punteggio complessivo
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Punteggio complessivo
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.9
11.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.3
9.2
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
32
38
Intorno -19% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
38
32
Velocità di lettura, GB/s
13.9
11.1
Velocità di scrittura, GB/s
9.3
9.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2317
2386
Kingston KP4T2F-PSB 4GB Confronto tra le RAM
Kingston KP4T2F-MIN 4GB
Samsung M471B5773CHS-CF8 2GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMW32GX4M4Z2933C16 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFX 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FE 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
A-DATA Technology AD64C1D1624E1B 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Kingston 9905643-009.A00G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link