RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Confronto
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB vs Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Punteggio complessivo
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
33
Intorno 21% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.9
9.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.5
8.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
26
33
Velocità di lettura, GB/s
13.9
9.6
Velocità di scrittura, GB/s
9.5
8.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2432
2286
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB Confronto tra le RAM
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Kingston HX316C10F/4 4GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADG 4GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.8FE 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
Kingston 9905711-002.A00G 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link