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Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Confronto
Kingston KVR533D2N4 512MB vs G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Punteggio complessivo
Kingston KVR533D2N4 512MB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
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Motivi da considerare
Kingston KVR533D2N4 512MB
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Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
71
75
Intorno -6% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.2
1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.1
1,672.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
4200
Intorno 4.05 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
75
71
Velocità di lettura, GB/s
1,943.5
16.2
Velocità di scrittura, GB/s
1,672.1
8.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
4200
17000
Other
Descrizione
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
4-4-4-12 / 533 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
301
1979
Kingston KVR533D2N4 512MB Confronto tra le RAM
Kingston KC6844-ELG37 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905678-138.A00G 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N
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G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
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A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
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