Kingston KVR533D2N4 512MB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB

Kingston KVR533D2N4 512MB vs Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB

Punteggio complessivo
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Kingston KVR533D2N4 512MB

Kingston KVR533D2N4 512MB

Punteggio complessivo
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Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB

Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB

Differenze

  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    75 left arrow 77
    Intorno 3% latenza inferiore
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    13.1 left arrow 1
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    5.5 left arrow 1,672.1
    Valore medio nei test
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    19200 left arrow 4200
    Intorno 4.57 larghezza di banda superiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston KVR533D2N4 512MB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    75 left arrow 77
  • Velocità di lettura, GB/s
    1,943.5 left arrow 13.1
  • Velocità di scrittura, GB/s
    1,672.1 left arrow 5.5
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    4200 left arrow 19200
Other
  • Descrizione
    PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    4-4-4-12 / 533 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    301 left arrow 1440
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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