RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR533D2N4 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Confronto
Kingston KVR533D2N4 512MB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Punteggio complessivo
Kingston KVR533D2N4 512MB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingston KVR533D2N4 512MB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
35
75
Intorno -114% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
10
1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.0
1,672.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
4200
Intorno 4.57 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston KVR533D2N4 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
75
35
Velocità di lettura, GB/s
1,943.5
10.0
Velocità di scrittura, GB/s
1,672.1
7.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
4200
19200
Other
Descrizione
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
4-4-4-12 / 533 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
301
2068
Kingston KVR533D2N4 512MB Confronto tra le RAM
Kingston KC6844-ELG37 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB Confronto tra le RAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
Corsair CM4X8GD3200C16K4 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link