RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR533D2N4 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Confronto
Kingston KVR533D2N4 512MB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Punteggio complessivo
Kingston KVR533D2N4 512MB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingston KVR533D2N4 512MB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
41
75
Intorno -83% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
8.9
1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.7
1,672.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
4200
Intorno 4.05 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston KVR533D2N4 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
75
41
Velocità di lettura, GB/s
1,943.5
8.9
Velocità di scrittura, GB/s
1,672.1
7.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
4200
17000
Other
Descrizione
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
4-4-4-12 / 533 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
301
2126
Kingston KVR533D2N4 512MB Confronto tra le RAM
Kingston KC6844-ELG37 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB Confronto tra le RAM
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston HP24D4U7S8MH-8 8GB
Corsair CMD16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMD16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FADG 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link