RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR533D2N4 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Confronto
Kingston KVR533D2N4 512MB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Punteggio complessivo
Kingston KVR533D2N4 512MB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingston KVR533D2N4 512MB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
36
75
Intorno -108% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
9.3
1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.0
1,672.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
4200
Intorno 4.57 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston KVR533D2N4 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
75
36
Velocità di lettura, GB/s
1,943.5
9.3
Velocità di scrittura, GB/s
1,672.1
7.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
4200
19200
Other
Descrizione
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
4-4-4-12 / 533 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
301
1891
Kingston KVR533D2N4 512MB Confronto tra le RAM
Kingston KC6844-ELG37 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB Confronto tra le RAM
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston KVR533D2N4 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Kingston 9905624-051.A00G 8GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston XJ69DF-HYA 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Apacer Technology 78.CAGQE.C750B 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBD 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FJ 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link