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Kingston KVR533D2N4 512MB
Inmos + 256MB
Confronto
Kingston KVR533D2N4 512MB vs Inmos + 256MB
Punteggio complessivo
Kingston KVR533D2N4 512MB
Punteggio complessivo
Inmos + 256MB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
Kingston KVR533D2N4 512MB
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Motivi da considerare
Inmos + 256MB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
75
Intorno -150% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
11.5
1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.1
1,672.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
16800
4200
Intorno 4 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston KVR533D2N4 512MB
Inmos + 256MB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
75
30
Velocità di lettura, GB/s
1,943.5
11.5
Velocità di scrittura, GB/s
1,672.1
9.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
4200
16800
Other
Descrizione
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-16800, TBD1 V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
4-4-4-12 / 533 MHz
no data
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
301
2318
Kingston KVR533D2N4 512MB Confronto tra le RAM
Kingston KC6844-ELG37 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Inmos + 256MB Confronto tra le RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
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Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CM4B4G1J2400A14K 4GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
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