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Kingston KVR533D2N4 512MB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Confronto
Kingston KVR533D2N4 512MB vs Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Punteggio complessivo
Kingston KVR533D2N4 512MB
Punteggio complessivo
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
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Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
Kingston KVR533D2N4 512MB
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Motivi da considerare
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
49
75
Intorno -53% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
10.7
1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.6
1,672.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
4200
Intorno 5.07 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston KVR533D2N4 512MB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
75
49
Velocità di lettura, GB/s
1,943.5
10.7
Velocità di scrittura, GB/s
1,672.1
8.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
4200
21300
Other
Descrizione
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Temporizzazioni / Velocità di clock
4-4-4-12 / 533 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
301
2504
Kingston KVR533D2N4 512MB Confronto tra le RAM
Kingston KC6844-ELG37 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston 9965600-012.A01G 16GB
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