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Kingston KVR533D2N4 512MB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Confronto
Kingston KVR533D2N4 512MB vs Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Punteggio complessivo
Kingston KVR533D2N4 512MB
Punteggio complessivo
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Motivi da considerare
Kingston KVR533D2N4 512MB
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Motivi da considerare
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
75
Intorno -150% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.5
1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.3
1,672.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
4200
Intorno 5.07 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston KVR533D2N4 512MB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
75
30
Velocità di lettura, GB/s
1,943.5
16.5
Velocità di scrittura, GB/s
1,672.1
13.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
4200
21300
Other
Descrizione
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
4-4-4-12 / 533 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
301
3040
Kingston KVR533D2N4 512MB Confronto tra le RAM
Kingston KC6844-ELG37 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
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