RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR533D2N4 512MB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Confronto
Kingston KVR533D2N4 512MB vs Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Punteggio complessivo
Kingston KVR533D2N4 512MB
Punteggio complessivo
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingston KVR533D2N4 512MB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
75
77
Intorno 3% latenza inferiore
Motivi da considerare
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.6
1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
6.9
1,672.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
4200
Intorno 4.57 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston KVR533D2N4 512MB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
75
77
Velocità di lettura, GB/s
1,943.5
13.6
Velocità di scrittura, GB/s
1,672.1
6.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
4200
19200
Other
Descrizione
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
4-4-4-12 / 533 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
301
1549
Kingston KVR533D2N4 512MB Confronto tra le RAM
Kingston KC6844-ELG37 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston KVR533D2N4 512MB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FAD1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C15 4GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Kingston KH2400C15D4/8 8GB
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link