Kingston KVR533D2N4 512MB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB

Kingston KVR533D2N4 512MB vs Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB

Punteggio complessivo
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Kingston KVR533D2N4 512MB

Kingston KVR533D2N4 512MB

Punteggio complessivo
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Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB

Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB

Differenze

  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    23 left arrow 75
    Intorno -226% latenza inferiore
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    18.1 left arrow 1
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    15.0 left arrow 1,672.1
    Valore medio nei test
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    21300 left arrow 4200
    Intorno 5.07 larghezza di banda superiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston KVR533D2N4 512MB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    75 left arrow 23
  • Velocità di lettura, GB/s
    1,943.5 left arrow 18.1
  • Velocità di scrittura, GB/s
    1,672.1 left arrow 15.0
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    4200 left arrow 21300
Other
  • Descrizione
    PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    4-4-4-12 / 533 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    301 left arrow 3317
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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