RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Confronto
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Punteggio complessivo
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Punteggio complessivo
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
5
20.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
32
50
Intorno -56% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.5
1,905.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
6400
Intorno 3.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
50
32
Velocità di lettura, GB/s
5,143.3
20.5
Velocità di scrittura, GB/s
1,905.1
14.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
21300
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
855
3379
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB Confronto tra le RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C16 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CMT128GX4M8C3000C15 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Jinyu 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9905702-071.A00G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link