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Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
Confronto
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB vs G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
Punteggio complessivo
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
5
15.3
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
39
50
Intorno -28% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.1
1,905.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
6400
Intorno 3.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
50
39
Velocità di lettura, GB/s
5,143.3
15.3
Velocità di scrittura, GB/s
1,905.1
12.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
21300
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
855
2760
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB Confronto tra le RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Apacer Technology 78.DAGP2.4030B 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
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