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Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Confronto
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB vs G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Punteggio complessivo
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
5
22
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
17
50
Intorno -194% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
16.4
1,905.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
50
17
Velocità di lettura, GB/s
5,143.3
22.0
Velocità di scrittura, GB/s
1,905.1
16.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
855
3704
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB Confronto tra le RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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INTENSO 5641162 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
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