RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Confronto
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB vs G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Punteggio complessivo
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
5
18
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
50
Intorno -85% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.5
1,905.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
50
27
Velocità di lettura, GB/s
5,143.3
18.0
Velocità di scrittura, GB/s
1,905.1
14.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
855
3531
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB Confronto tra le RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GVKC 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Essencore Limited KD48GU880-26N160T 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
INTENSO M418039 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905625-036.A00G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Neo Forza NMUD480E86-3200 8GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G80026 2GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Corsair CMT32GX4M4C3600C18 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FD2 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Essencore Limited KD48GU880-26N160T 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link