RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Confronto
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Punteggio complessivo
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Punteggio complessivo
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
5
13.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
40
50
Intorno -25% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.5
1,905.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
6400
Intorno 3.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
50
40
Velocità di lettura, GB/s
5,143.3
13.5
Velocità di scrittura, GB/s
1,905.1
9.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
21300
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
855
2254
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB Confronto tra le RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Kingston 9905712-008.A00G 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Kingston KTD3KX-HYA 8GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CMD64GX4M4B3466C16 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link