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Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Confronto
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB vs Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Punteggio complessivo
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Punteggio complessivo
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
5
17
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
50
Intorno -117% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.2
1,905.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
50
23
Velocità di lettura, GB/s
5,143.3
17.0
Velocità di scrittura, GB/s
1,905.1
13.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
855
2935
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB Confronto tra le RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
A-DATA Technology DDR3 2133X 8GB
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
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