RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Confronto
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB vs Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Punteggio complessivo
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Punteggio complessivo
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
50
86
Intorno 42% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
5
14.3
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.1
1,905.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
6400
Intorno 3.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
50
86
Velocità di lettura, GB/s
5,143.3
14.3
Velocità di scrittura, GB/s
1,905.1
8.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
21300
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
855
1658
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB Confronto tra le RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB Confronto tra le RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Asgard VMA44UG-MEC1U2AW1 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMK64GX4M4A2400C14 16GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9905598-025.A00G 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMK64GX4M4C3200C16 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link