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Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
Confronto
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB vs Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
Punteggio complessivo
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Punteggio complessivo
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Motivi da considerare
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
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Motivi da considerare
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
29
Intorno -4% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.6
9.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.4
5.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
29
28
Velocità di lettura, GB/s
9.4
17.6
Velocità di scrittura, GB/s
5.1
15.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1432
3705
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB Confronto tra le RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
A-DATA Technology AO1L16BC4R1-BQ7S 4GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
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