RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
Confronto
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
Punteggio complessivo
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
31
Intorno 6% latenza inferiore
Motivi da considerare
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.9
9.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.0
5.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
29
31
Velocità di lettura, GB/s
9.4
13.9
Velocità di scrittura, GB/s
5.1
8.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1432
2236
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB Confronto tra le RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
A-DATA Technology AO1L16BC4R1-BQ7S 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-ON 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston KHX2133C14/8G 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kllisre D4 8G 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link