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Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Confronto
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB vs Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Punteggio complessivo
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
40
49
Intorno 18% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.4
10.5
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.0
8.3
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
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Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
40
49
Velocità di lettura, GB/s
14.4
10.5
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
8.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2455
2374
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
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