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Kllisre M393B1K70DH0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Confronto
Kllisre M393B1K70DH0-CK0 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Punteggio complessivo
Kllisre M393B1K70DH0-CK0 8GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kllisre M393B1K70DH0-CK0 8GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
10.6
10.4
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
37
47
Intorno -27% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.8
7.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kllisre M393B1K70DH0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
47
37
Velocità di lettura, GB/s
10.6
10.4
Velocità di scrittura, GB/s
7.1
7.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1913
2213
Kllisre M393B1K70DH0-CK0 8GB Confronto tra le RAM
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB Confronto tra le RAM
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Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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